Aachen Graphene FLAGSHIP Seminare

Donnerstag, 16. Januar 2020, 14 bis 15 Uhr

Tomás Palacios (MIT) zum Thema: "From Transistors to Synthetic Cells"

Der Vortrag findet im Physikhörsaal (28D001) im Physikzentrum der RWTH Aachen am Campus Melaten statt.


Abstract:
Two-dimensional materials enjoy a vast array of unique properties, from extreme thinness and mechanical
flexibility to amazing quantum physics. These properties will have a tremendous impact in future
electronics by enabling large area, high speed, ubiquitous sensing and processing. This talk will review
some of the recent progress on the use of graphene and other two-dimensional materials in these
applications. In particular, it will discuss state-of-the-art MoS and WSe transistors for ultra-low power 2 2
CMOS circuits [1-2], graphene-based chemical [3] and infrared sensors [4], large area devices for energy
harvesting [5], and a new generation of micro-systems that probe the limits of electronics.

[1] NanoLetters, 16 (2016) 7798-7806.; [2] NanoLetters, 15 (2015) 4928-4934; [3] Applied Materials
and Interfaces, 10 (2018) 16169-16176. [4] Heterogeneous Integration of 2D Materials and Devices on
a Si Platform, Chapter in Beyond CMOS Technologies for Next Generation Computer Design (2019),
Springer. [5] Nature (2019) https://doi.org/10.1038/s41586-019-0892-1

 

Dienstag, 7. Januar 2020, 12 bis 13 Uhr

Prof. Barbaros Özyilmaz von der National University of Singapore (NSU) hält einen Vortrag zum Thema „2D Amorphous Materials and other Research Efforts at the Centre for Advanced 2D Materials“

 

Dienstag, 30. März 2018, 12 bis 13 Uhr

Peter Bøggild  von der DTU Dänemark hält einen Vortrag zum Thema „Graphene at the edge of perfection“

 

Freitag, 15. Juni 2018, 13 bis 14 Uhr

Dr. Shu Nakaharai (NIMS & MANA) zum Thema: "Polaritätskontrollierbare Transistoren auf 2D-Materialien"

Der Vortrag findet im Raum S3 im Gebäude Otto-Blumenthal-Str. 2 (Über der Werkstatt) am Campus Melaten statt.


Abstrakt:
Zweidimensionale (2D) Materialien wie Übergangsmetall-Dichalcogenide (TMDCs) werden für zukünftige Kanalmaterialien aufgrund ihrer atomar dünnen und glatten Oberflächen erwartet, was zu einer Reduzierung der Kurzkanal-Effekte in der aggressiv skalierten CMOS-Technologie führen kann. Auf der anderen Seite gibt es noch einige schwierige Fragen der Trägerdotierung, der Kontrolle des Trägertyps und der Transistorpolarität. In diesem Vortrag diskutieren wir zunächst, wie wir das Problem der Trägertypsteuerung in TMDC-Halbleitern überwinden können. Hier wird überprüft, dass MoTe2 im Gegensatz zu MoS2 an den Schottky-Kreuzungen nur eine schwache Fermi-Pin-Belegung aufweist und sich je nach Arbeitsfunktion der Kontaktmetalle sowohl als n- als auch als p-Typ-Transistor verhalten kann. Schließlich wird diskutiert, dass MoTe2 der ideale ambipolare Kanal in einem einzigartigen Konzept von polaritätssteuerbaren Transistoren ist, bei dem die Transistorpolarität (n/p) durch elektrostatische Ansteuerung verändert werden kann.

 

Dienstag, 5. Juni 2018, 12 bis 13 Uhr

Kirill Bolotin (FU Berlin)