Veröffentlichung: A Broadband Active Microwave Monolithically Integrated Circuit Balun in Graphene Technology
Abstract:
Dieses Paper stellt den ersten monolithisch integrierten Graphen-Hochfrequenz (RF) Balun-Schaltkreis vor. Er besteht aus vier integrierten Graphen-Feldeffekttransistoren (GFETs). Dieses innovative aktive Balun-Konzept nutzt die Vorteile des ambipolaren GFET-Verhaltens. Es wird unter Verwendung einer fortschrittlichen, auf Siliziumkarbid (SiC) basierenden Doppelschicht-Graphen-FET-Technologie mit HF-Leistungen von etwa 20 GHz realisiert. Die Messung der Balun-Schaltung demonstriert seine Hochfrequenzfähigkeit. Eine obere Grenze von 6 GHz wurde erreicht, wenn man eine Phasendifferenz von weniger als 10° und eine Amplituden-Ungleichgewicht von weniger als 0,5 dB berücksichtigt. Daher zeigt diese Schaltungstopologie eine ausgezeichnete Leistung mit großer Bandbreite und einer Funktionalität von bis zu einem Drittel der Transitfrequenz des Transistors.
Die Forschung wurde finanziert durch das Horizon 2020-Framework Program: Core2 785219.