ELD gewinnt ein BMBF “ForMikro” Projekt

14.10.2019
 

Kontakt Projekt NobleNEMS

Univ.-Prof. Dr.-Ing. Max Lemme

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Telefon: 0241/80-20280

E-Mail: max.lemme@eld.rwth-aachen.de

 

Kontakt Projekt SiGeSn nanoFETs

Univ.-Prof. Dr.rer.nat. Joachim Knoch

Lehrstuhl für Halbleiterelektronik

Telefon 0241/80-27891

E-Mail knoch@iht.rwth-aachen.de

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Mikroelektronik ist ein Motor für Innovation wie Digitalisierung und damit eine Schlüsseltechnologie zur Erhaltung der Wirtschaftskraft. Mit der Förderlinie „Forschung für neue Mikroelektronik (ForMikro)“ will das Bundesministerium für Bildung und Forschung in diesem Bereich unterstützen. Finanziert werden wissenschaftliche Arbeiten, für die ein nachgewiesenes Interesse aus der Industrie besteht. Die RWTH Aachen hat in der ersten Ausschreibung insgesamt mehr als eine Million Euro für die beiden Projekte „NobleNEMS“ und „SiGeSn nanoFETs“ eingeworben. Im Fokus stehen die Erforschung innovativer Materialien für Anwendungen in der Sensorik und integrierten Schaltungen.

NobleNEMS

NobleNEMS wird von Professor Max Lemme, Inhaber des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente der RWTH koordiniert. Ziel ist die Demonstration von hochsensitiven nanoelektromechanischen Sensoren (NEMS) aus zweidimensionalen Materialien mit Edelmetallen wie Platin oder Palladium. „Wir erwarten hier eine deutliche Verbesserung der Empfindlichkeit und Skalierbarkeit von membranbasierten Drucksensoren und Mikrofonen. Langfristig sehe ich auch Anwendungspotenziale für diese Technologie in Beschleunigungssensoren, Umweltsensoren und Infrarot-Photodetektoren.", so Lemme. Beteiligt sind die TU Dresden, die Universität der Bundeswehr München sowie die Unternehmen Infineon, ATV, Witec und AMO. Das Projekt ist auch Teil von Forschung und Lehre im Aachener Graphene & 2D Materials Center.

SiGeSn nanoFETs

SiGeSn nanoFETs wird von Professor Joachim Knoch, Inhaber des Lehrstuhls für Halbleiterelektronik, koordiniert. Hier soll das Potenzial von SiGeSn – einer silizium-, germanium- und zinnhaltigen Legierung – für die Realisierung von Transistoren und integrierte Schaltungen erweitert werden. „Um SiGeSn entlang der gesamten Wertschöpfungskette zu bewerten, wollen wir einen engen Rückführkreis zwischen Materialoptimierung, Gerätedesign und Fertigung einrichten“, erklärt Knoch. Partner sind das Forschungszentrum Jülich, das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), die Universität Stuttgart und das Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik (IHP) sowie die Unternehmen Aixtron, Siltronic AG, ROVAK - Flash Lamp Systems GmbH, GlobalFoundries und Rohde&Schwarz.

Die bewilligten Projekte tragen zur Umsetzung der Hightech-Strategie 2025 der Bundesregierung im Rahmenprogramm „Mikroelektronik aus Deutschland - Driving Innovation in Digitalisierung“ bei.